ଯ ound ଗିକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସ୍ଫଟିକର ବୃଦ୍ଧି |
ପ୍ରଥମ ପୀ generation ିର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ତୁଳନାରେ ଯ ound ଗିକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଦ୍ generation ିତୀୟ ପି generation ଼ି ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ଭାବରେ ଜଣାଶୁଣା, ଅପ୍ଟିକାଲ ଟ୍ରାନ୍ସଗେସନ୍, ହାଇ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ସାଚୁଚରେସନ୍ ଡ୍ରାଇଫ୍ ହାର ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧ, ବିକିରଣ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ସହିତ ଅଲ୍ଟ୍ରା-ହାଇ ସ୍ପିଡ୍, ଅଲ୍ଟ୍ରା-ହାଇ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି, କମ୍ ପାୱାର୍, କମ୍ ଶବ୍ଦ ହଜାରେ ଏବଂ ସର୍କିଟ୍, ବିଶେଷତ opt ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଡିଭାଇସ୍ ଏବଂ ଫଟୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଷ୍ଟୋରେଜ୍ ର ଅନନ୍ୟ ସୁବିଧା ଅଛି, ଯାହାର ସର୍ବାଧିକ ପ୍ରତିନିଧୀ ହେଉଛି GaA ଏବଂ InP |
ଯ ound ଗିକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଏକକ ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକର ବୃଦ୍ଧି (ଯେପରିକି GaAs, InP, ଇତ୍ୟାଦି) ତାପମାତ୍ରା, କଞ୍ଚାମାଲ ଶୁଦ୍ଧତା ଏବଂ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପାତ୍ର ଶୁଦ୍ଧତା ସହିତ ଅତ୍ୟଧିକ କଠୋର ପରିବେଶ ଆବଶ୍ୟକ କରେ |ଯ ound ଗିକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଏକକ ସ୍ଫଟିକର ବୃଦ୍ଧି ପାଇଁ PBN ସମ୍ପ୍ରତି ଏକ ଆଦର୍ଶ ପାତ୍ର |ବର୍ତ୍ତମାନ, ଯ ound ଗିକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଏକକ ସ୍ଫଟିକ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରଣାଳୀରେ ମୁଖ୍ୟତ liquid ତରଳ ସିଲ୍ ସିଧାସଳଖ ଟାଣ ପ୍ରଣାଳୀ (LEC) ଏବଂ ଭର୍ଟିକାଲ୍ ଗ୍ରେଡିଏଣ୍ଟ୍ କଠିନୀକରଣ ପଦ୍ଧତି (VGF) ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ, ଯାହା ବୋଇ VGF ଏବଂ LEC ସିରିଜ୍ କ୍ରୁସିବଲ୍ ଉତ୍ପାଦ ସହିତ ଅନୁରୂପ |
ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିନ୍ଥେସିସ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ମ element ଳିକ ଗ୍ୟାଲିୟମ୍ ଧରି ରଖିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ପାତ୍ର, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ବିକୃତି ଏବଂ ଫାଟିବା ମୁକ୍ତ ହେବା ଆବଶ୍ୟକ, ପାତ୍ରର ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା, ଅପରିଷ୍କାର ପରିଚୟ ଏବଂ ଦୀର୍ଘ ସେବା ଜୀବନ |PBN ଉପରୋକ୍ତ ସମସ୍ତ ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରିପାରିବ ଏବଂ ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିନ୍ଥେସିସ୍ ପାଇଁ ଏକ ଆଦର୍ଶ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପାତ୍ର |ଏହି ଟେକ୍ନୋଲୋଜିରେ ବୋଇ ପିବିଏନ୍ ଡଙ୍ଗା ସିରିଜ୍ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇଛି |
